氧化锌薄膜晶格结构、性质、应用

        氧化锌薄膜是一种具有优秀的压电、光电、气敏、压敏等性质的资料。氧化锌薄膜的制备方法多样，薄膜的性质取决于不同的掺杂组分，并与制备工艺紧密相关。简述了氧化锌薄膜的制备方法与根本性质与使用，剖析了氧化锌薄膜研讨、使用与开发现状，展望了产业化发展前景。
　　氧化锌(氧化锌)薄膜是一种具有广泛用处的资料，其功能随掺杂组分和制备条件的不同而改动。长期以来，对氧化锌薄膜的研讨首要会集在压电性、透明导电性、光电性、气敏性、压敏性等方面。人们用氧化锌薄膜做成了声表面波谐振器、压电器件、太阳电池透明电极和增透膜、液晶显示器透明电极、气敏湿敏传感器等，在诸多范畴得到了很好的使用。近年来，跟着薄膜制备技能的发展，氧化锌的P型掺杂和PN结制造，使用氧化锌制造紫外半导体激光器，氧化锌薄膜光泵浦紫外受激发射的研讨成为新式的前沿课题。本文对氧化锌薄膜的结构、根本性质、最新制备技能及开发使用研讨进行了总述，并对该资料的发展趋势进行了讨论。
　　氧化锌薄膜的晶格结构：

　　优质的氧化锌薄膜具有C轴择优取向成长的很多晶粒，每个晶粒都是成长杰出的六角形纤锌矿结构。依照一般的晶体学模型，氧化锌晶体是由氧的六角密堆积和锌的六角密堆积反向嵌套而成的，晶格常数a=0.325nm，c=0.521nm，配位数为4:4，每一个锌原子都坐落4个相邻的氧原子所构成的四面体空隙中，但只占其间对折的氧四面体空隙，氧原子的摆放状况与锌原子相同。单位晶格中含有两个分子，体积v=0.047615nm，。因而这种结构比较敞开，空隙原子的构成焙比较低，半径较小的组成原子简单变成空隙原子，如氧化锌中Zn的浓度比较高。化学计量比的氧化锌为宽带隙半导体，禁带宽度约3.3eV，本征氧化锌薄膜的电阻率高于106 Ω·cm改动成长、掺杂或退火条件，可构成简并半导体，导电功能大幅度进步，电阻率可降低到10-4 Ω·cm数量级。

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